IGBT
Insulated/Insulator Gate Bipolar Transistor
Definition
Der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ist ein Leistungshalbleiterbauelement, das die Vorteile eines MOSFET (hohe Eingangsimpedanz, spannungsgesteuert) mit denen eines Bipolartransistors (hohe Stromtragfähigkeit) vereint. IGBTs werden in der Leistungselektronik eingesetzt, etwa in Frequenzumrichtern, Wechselrichtern und Motorsteuerungen.